功率放大器相关论文
针对硅基毫米波功率放大器存在的饱和输出功率较低、增益不足和效率不高的问题，基于TSMC 40nm CMOS工艺，设计了一款工作在28GHz的高......
基于4英寸（1英寸=2.54 cm）亚微米T型栅GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）工艺，采用AlGaN/GaN异质结构外延衬底，研制了一款W波段功率放大器单片......
近年来,基于毫米波频段的通信系统应用日益增加。相较于sub 6GHz频段狭窄的带宽与拥挤的频谱,毫米波频段应用在数据传输速率、可用......
功率放大器作为比例减压阀电磁铁线圈的电功率驱动单元,其输出信号的质量是影响比例减压阀压力控制品质的重要因素。对现有功率放......
提出了一款基于GaAs HBT工艺的高功率功率放大器（Power Amplifier,PA）.设计采用三级放大器级联的结构以提高功率放大器的功率增益，在......
比例减压阀功率放大器存在谐波干扰、占空比突变、颤振信号频率选择不当等问题，影响其出口压力控制品质。针对该问题，通过建立某型直......
本文针对传统功率放大器采用模拟控制系统带来的控制策略简单、输出功率小等一系列问题，提出了一种大功率全数字功率放大器设计方法......
针对5G毫米波频段应用,本文提出了一种基于混合匹配技术的4W氮化镓单片微波集成电路（MMIC）功率放大器。匹配电路采用集总参数电容及......
功率超声波的产生,一直是从事超声应用研究人员的关键实验设备,国内研究较少,由于输出功率比较大,工作频带比较宽,同类产品主要采......
第三代半导体材料GaN是宽禁带半导体材料的核心代表,因为其较宽的禁带宽度,较高的电子迁移率和电子饱和速度,使以其为基础制造的半......
基于90 nm GaAs赝配高电子迁移率晶体管（PHEMT）工艺研制了一款6～27 GHz宽带功率放大器单片微波集成电路（MMIC）。采用预匹配电路降低带内......
期刊
针对F类功放并根据可重构理论，文中设计了一种基于PIN开关的新型谐波控制网络。该谐波控制网络主要通过调节PIN开关工作状态来实现......
为了满足目前物联网低成本、低功耗与较高线性度的市场应用需求，提出了一种高线性度的2.4 GHz功率放大器（PA）。该功率放大器为两级结......
随着近年来科技以及无线通信系统的发展速度的大幅度提升,对系统的集成度、智能化程度和小型化的需求越来越高。功率放大器是发射......
学位
本文提出了一种基于图卷积神经网络的射频功放数字预失真模型，可以有效地对宽带射频功放进行非线性补偿。通过时序处理模块和LSTM层......
第五代移动通信系统(5thGeneration,5G)中发射机不仅在频率、带宽、线性度等传输信号特性方面对传统线性化技术的性能提出更高的要......
信息通信技术推动着人类社会的进步和快速发展,尤其是无线通信网络技术加速了现代社会信息化进程。但移动通信网络能源消耗所占的......
随着无线通信技术的发展,现代无线电子系统在军用与民用领域的作用愈发重要,其一体化与可重构化需求日益扩大,功率放大器作为无线......
为了补偿大容量卫星通信射频前端的功率放大器的非线性，传统的数字预失真（DPD）模型需要更多的系数和更高的阶次，严重影响预失真前馈路......
介绍了一种基于HEMT工艺的高增益、高功率宽带单片微波集成电路功率放大器芯片。该芯片采用六个三堆叠式晶体管管胞构成非均匀分布......
10kW （DAM）中波广播发射机共用了52块射频放大器，出现故障机率较高，本文从功率放大器的工作原理出发，结合常出现的故障进行阐述和总结，希......
在5G毫米波相控阵收发器中,射频前端T/R收发单元电路是相控阵雷达收发机的核心部分,其参数决定着收发机电路的性能。本文根据不同......
基于GaAs赝配型高电子迁移率晶体管（pHEMT）工艺,研制了一款96-105GHz的四通道发射多功能芯片,完成信号的多通道倍频放大。电路由Ka、......
期刊
文中提出了一种基于独热编码与长短时期记忆 （LSTM） 神经网络的多频段通用数字预失真非线性模型，它可以有效地对工作在多个不同频段的......
功率放大器是保证无线通信系统能够实现完整功能的重要组成部分之一。但由于一些调制技术以及功率放大器工作时所产生的热效应等原......
在4G和5G移动通信中,高阶调制方式被用在有限的频谱资源中以实现更高的频谱利用率。然而,高阶调制信号的峰值平均功率比（Peak-to-av......
随着氮化镓（GaN）半导体技术研究和发展,GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）单片微波集成电路（MMIC）也逐渐应用于卫星通信、雷达探测以及人们生......
设计了一款工作频率低、频带宽的HF/UHF波段功率放大器。为满足指标要求，该设计采用三级晶体管级联。选定晶体管之后，根据各级晶体管......
现今通信设备对于硬件设备的小型化、全国产化要求越来越严格，为了全面提升通信设备的小型化和元器件自主可控程度，设计一种完全国产......
本文基于0.15um GaN on SiC工艺设计了一款工作于Ka波段的高效率两级MMIC功率放大器。仿真结果表明:该功率放大器在34-36GHz频段内......
本文基于0.25μmGaNHEMT工艺技术，设计并实现了一款可应用于L波段和S波段的超宽带GaN高效率大功率放大器芯片。该功率放大器芯片采......
随着通信技术的不断发展,功率放大器显得越来越重要。对于传统的功率放大器电路分析,主要分析功率放大器电路的频域输出,对于功率......
随着5G时代的到来,通信行业又有了一步大跨越式的发展,氮化镓（GaN）功率器件作为通信领域和半导体领域的交叉核心,其发展与应用也跟随......
第六代（6th Generation,6G）移动通信系统将以超低时延、超高速率和高可靠性来实现万物智联的目标,为扩展现实（e Xtended Reality,XR）、......
近年间,太赫兹波段已成为研究的热点,其科研意义与应用价值已得到学术界的认可。140GHz作为“大气窗口”之一,信号传输在其附近频......
本文提出了一种基于非互易电磁超表面的新型空间收发隔离系统。通过在电磁超表面单元中集成功率放大器使单元具备了非互易的透射相......
随着通信技术的发展,民用及军用通信系统都对微波射频器件性能提出了更高的要求,功率器件作为系统的核心一直是研究热点。如今功率......
为适应当前5 G通信芯片趋于高效率化的发展趋势，介绍了一种28 GHz线性度好、效率高的Doherty功率放大器的设计。该功率放大器采用了......
太赫兹波具有光波和微波所没有的独特特性,在成像、通信、医疗、检测等领域有着广泛的应用前景。然而,由于缺少高功率、低成本、宽......
随着移动通信的发展和节能环保的要求的提高,如何解决移动通信系统中射频功率放大器的效率与线性度之间的矛盾已经成为重点研究方......
氮化镓（GaN）作为一种宽禁带半导体,用于功率放大器设计时可承受更高的工作电压,具有更高的功率密度和可工作温度。对于既定功率水平,......
射频功率放大器是射频前端的关键器件,也是射频前端中消耗功率最大的器件,低效的功放会浪费能源,且发热严重,降低射频前端性能。另......
5G时代来临,人们对于通信质量的要求越来越高,高峰均比的调制信号被广泛应用,这类信号极易导致非线性。为了保证线性度,一般会要求......
